область, обеднённая носителями заряда
- область, обеднённая носителями заряда
- krūvininkų nuskurdinta sritis
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. charge-depletion region
vok. ladungsverarmter Eimer, m
rus. область, обеднённая носителями заряда, f
pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
Look at other dictionaries:
Полупроводниковый диод — двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д.» объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей… … Большая советская энциклопедия
charge-depletion region — krūvininkų nuskurdinta sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f … Radioelektronikos terminų žodynas
krūvininkų nuskurdinta sritis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ladungsverarmter Eimer — krūvininkų nuskurdinta sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f … Radioelektronikos terminų žodynas
zone à déplétion des porteurs de charge — krūvininkų nuskurdinta sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Полевой транзистор — канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в П. т. рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Большая советская энциклопедия