область, обеднённая носителями заряда

область, обеднённая носителями заряда
krūvininkų nuskurdinta sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge-depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Look at other dictionaries:

  • Полупроводниковый диод —         двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д.» объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей… …   Большая советская энциклопедия

  • charge-depletion region — krūvininkų nuskurdinta sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • krūvininkų nuskurdinta sritis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ladungsverarmter Eimer — krūvininkų nuskurdinta sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • zone à déplétion des porteurs de charge — krūvininkų nuskurdinta sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. charge depletion region vok. ladungsverarmter Eimer, m rus. область, обеднённая носителями заряда, f pranc. zone à déplétion des porteurs de charge, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… …   Физическая энциклопедия

  • P — n-переход — (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… …   Википедия

  • Р — n-переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

  • Электронно-дырочный переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

  • Полевой транзистор —         канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в П. т. рабочего тока обусловлено носителями заряда… …   Большая советская энциклопедия

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”